使用原子力顯微鏡可以監(jiān)測(cè)分子束外延后CdTe/Si復(fù)合襯底的表面情況。Si基襯底分子束外延后的CdTe薄膜表面不是很精密而是存在一些微觀凹坑，峰谷值P-V為7.67nm，寬度為1.9um。利用原子力顯微鏡AFM對(duì)薄膜表面的微觀缺陷的觀測(cè)和表征，精度可以達(dá)到納米量級(jí)。這種精度是掃描電鏡以及其它的一些表面形貌測(cè)試設(shè)備所不能比擬的。

使用原子力顯微鏡可以監(jiān)測(cè)碲鎘汞襯底經(jīng)過機(jī)械拋光和化學(xué)拋光后材料表面的粗糙程度。碲鎘汞襯底上外延的MCT，除了受外延條件的影響，也受到襯底表面的影響，襯底表面的缺陷也有會(huì)表現(xiàn)在外延片上。所以，相對(duì)于平整襯底上的外延，會(huì)減小外延片的粗糙度。在工藝投片前，外延片選擇1um金剛石機(jī)械拋光和化學(xué)拋光。

在經(jīng)過1um金剛石機(jī)械拋光之后，MCT表明粗糙度Ra為6.7nm，峰谷值P-V為73nm，經(jīng)化學(xué)拋光，此兩值減小為1.9nm和11nm。此時(shí)的MCT表面較為平行度和粗糙度都非常好。原子力顯微鏡AFM可以很直觀和準(zhǔn)確的對(duì)拋光后的表面粗糙度進(jìn)行評(píng)價(jià)，對(duì)拋光工藝的改良起到一定的作用。

使用原子力顯微鏡可以很準(zhǔn)確的對(duì)鎘汞襯器件工藝中的接觸孔進(jìn)行表征。原子力顯微鏡AFM分析接觸孔，具有簡(jiǎn)單、方便、直觀、準(zhǔn)確的優(yōu)點(diǎn)。通過原子力顯微鏡在材料工藝中的應(yīng)用，可以直觀的得到樣品的表面形貌，利于改良材料工藝中的拋光環(huán)節(jié)。精度高，抗干擾能力強(qiáng)，掃描結(jié)果直觀、準(zhǔn)確，原子力顯微鏡在材料器件工藝測(cè)試中發(fā)揮了巨大作用。